不同于使用萬用表測量常規(guī)導體電阻，半導體硅單晶電阻率以及微電子領域的其他金屬薄膜電阻率的測量屬于微區(qū)薄層電阻測試，需要利用微小信號供電以及高精密的量測設備，包括測試接線方式上，也需要利用四線制的接法來提升測量結果的準確性，行業(yè)內稱為四探針測試法。

四探針技術可測試對象主要有：晶圓片和薄層電阻，例如硅襯底片、研磨片、外延片，離子注入片、退火硅片、金屬膜和涂層等。利用探針分析可檢測整個芯片表面薄層電阻均勻性，進而判斷離子注入片和注入工藝中存在的問題。

四探針法按測量形狀可分為直線四探針法和方形四探針法。

直線四探針測試法的原理是用針距為1mm的四根探針同時壓在樣品的平整表面上，利用恒流源給外面的兩個探針通以微小電流，然后在中間兩個探針上用高精密數字萬用表測量電壓，最后根據理論公式計算出樣品的電阻率，電阻率計算公式：ρ=（V23/I）*2πS，S代表探針間距。

直線四探針法能測出超過其探針間距三倍以上大小區(qū)域的不均勻性。

測試設備：不同探針間距探針臺+IT2806高精密源表+上位機軟件PV2800

IT2806高精密源表(簡稱SMU)：集六種設備功能于一體(恒流源、恒壓源、脈沖發(fā)生器、6.5位DVM、電池模擬器，電子負載)。在電阻率的測試中，可將IT2806高精密源表切換至恒流源模式，在輸出電流同時量測中間兩探針之間的微小壓降，并搭配免費的PV2800上位機軟件，自動得出電阻率的測量結果。